特讯热点!三星3D NAND堆叠技术领跑行业,长存美光紧追其后

博主:admin admin 2024-07-08 19:50:15 820 0条评论

三星3D NAND堆叠技术领跑行业,长存美光紧追其后

[美国,加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告,三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位,其平均每单元比特堆叠层数达到了176层,而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出,三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术,例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术,使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外,三星还开发了一种新的3D NAND架构,该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金,并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存,预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一,具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长,3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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中原建业宣布李桦辞任非执行董事,聚焦个人事务及家庭

北京,2024年6月18日 - 中原建业(09982.HK)今日宣布,李桦女士已辞任公司非执行董事职务,自2024年6月14日起生效。公告称,李女士辞任是由于需投放更多时间于其个人事务及家庭。

李桦女士自2019年1月起担任中原建业非执行董事,在任期间为公司发展做出了重要贡献。公司董事会对李女士的贡献表示衷心感谢,并祝愿她在未来一切顺利。

李女士的辞任不会对中原建业的日常运营产生重大影响。公司已委任刘殿臣先生为新的独立非执行董事,自2024年5月30日起生效。

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